SiC器件IGBT模塊是否有必要提高結溫[ 02-06 09:51 ]

眾所周知，SiC材料具有許多重要特性：其擊穿電場(chǎng)強度是硅材料的10倍左右，最高結溫可達600℃……因此，SiC器件結構具有天生的耐高溫能力，在真空條件下耐壓甚至可達400至600℃。SiCMOSFET自身?yè)p耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小。“SiC的導熱率比硅更好，（大約是硅的三倍），熔點(diǎn)更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本質(zhì)上SiC的耐受溫度比硅高出很多。”所以，SiC更適合高溫工作環(huán)境。 2010年5月，一家頭部公司稱(chēng)其新技術(shù)顯著(zhù)提高了IGBT模

鋁碳化硅（AlSiC）材料的性能特性[ 01-23 09:06 ]

鋁碳化硅（AlSiC）材料具有以下性能特性： 1）AlSiC具有高導熱率（170～200W/mK）和可調的熱膨脹系數（6.5～9.5×10-6/K），可提升器件散熱性能的同時(shí)，其熱膨脹系數與半導體芯片和陶瓷基片實(shí)現良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上； 2）AlSiC是復合材料，其熱膨脹系數等性能可通過(guò)改變其組成而加以調整，因此電子產(chǎn)品可按用戶(hù)的具體要求而靈活地設計，這是傳統的金屬材料或陶瓷材料無(wú)法作到的； 3）AlSiC的密度與鋁相當，比銅

鋁碳化硅AlSiC（SiCp/Al）材料制備方法與工藝的研究[ 01-22 09:11 ]

AlSiC（SiCp/Al）材料雖然具有優(yōu)異的力學(xué)與物理特性，但是實(shí)現高體積分數SiC的SiCp/Al材料的制備一直是制約該行業(yè)發(fā)展的難題。如何實(shí)現經(jīng)濟、快速、高品質(zhì)、低次品率的工業(yè)化生產(chǎn)，是SiCp/Al材料行業(yè)發(fā)展的機遇與挑戰。目前，SiCp/Al材料制備方法與工藝的研究，主要分為粉末冶金、攪拌熔鑄、共噴沉積、無(wú)壓滲透與壓力滲透五種。 目前SiCp/Al材料的五種制備方法均已有一定的研究成果，國外發(fā)展較早，按照地域主要分為美國、歐洲與日本三大技術(shù)開(kāi)發(fā)中心，生產(chǎn)的SiCp/Al材料產(chǎn)品廣泛用于飛機、衛星、導

碳化硅陶瓷3D打印成型結合反應燒結制備技術(shù)[ 01-18 15:41 ]

3D打印技術(shù)又稱(chēng)增材制造技術(shù)，該技術(shù)基于離散－堆積原理，利用計算機程序將產(chǎn)品的三維模型分層處理，通過(guò)加熱或黏結的方式將原料逐層堆積形成立體形狀的坯體。 3D打印結合反應燒結制備工藝在復雜結構碳化硅陶瓷產(chǎn)品近凈尺寸成型方面具有巨大優(yōu)勢，可提高產(chǎn)品生產(chǎn)效率并降低生產(chǎn)成本，為制造復雜結構陶瓷提供了新的工藝方案。目前，3D打印成型的陶瓷坯體普遍存在表面質(zhì)量差、尺寸精度低、燒結致密性偏低等問(wèn)題，影響了3D打印技術(shù)在規?；I(yè)生產(chǎn)的應用，未來(lái)需要繼續提高3D打印用陶瓷材料的制備水平和打印過(guò)程的控制精度，以便實(shí)現低成本、高

碳化硅陶瓷注漿成型結合反應燒結制備技術(shù)[ 01-17 15:39 ]

注漿成型技術(shù)多用于傳統陶瓷的制備，目前也在碳化硅窯具、噴嘴、熱交換器等復雜結構產(chǎn)品的制備過(guò)程中得到越來(lái)越多的應用。 注漿成型結合反應燒結工藝流程：將碳化硅粉、燒結助劑、去離子水、分散劑、黏結劑等混合制成碳化硅漿料，注入多孔模具，通過(guò)毛細管力將漿料中的水分逐漸吸出，沿模具內壁向內固化成坯體；當坯體厚度達到設定值后，倒出剩余漿料，一定時(shí)間后脫模得到碳化硅坯體，再經(jīng)過(guò)干燥、修坯、燒結等工藝制得碳化硅陶瓷成品。 注漿成型工藝操作簡(jiǎn)單、靈活性強、成本低，適于制造復雜結構的陶瓷產(chǎn)品。