生長(cháng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿(mǎn)足單晶生長(cháng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法將固態(tài)的Si源和C源作為原料，使其在1400～2000℃的高溫下持續反應，最后得到高純SiC粉體，是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。

天岳先進(jìn)使用的高純碳化硅是將高純硅粉和高純碳粉按工藝配方均勻混合，在2000℃以上的高溫條件下，于反應腔室內通過(guò)特定反應工藝，去除反應環(huán)境中殘余的、反應微粉表面吸附的痕量雜質(zhì)，使硅粉和碳粉按照既定化學(xué)計量比反應合成特定晶型和顆粒度的碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、篩分、清洗等工序，制得滿(mǎn)足晶體生長(cháng)要求的高純度碳化硅粉原料。