納米級碳化硅具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場(chǎng)和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。尤其是納米級碳化硅用于無(wú)壓燒結陶瓷制品領(lǐng)域，在增強陶瓷基、金屬基和聚合物基復合材料方面，表現出良好的機械性能。金蒙新材料所生產(chǎn)的納米級碳化硅產(chǎn)品具有純度高，SiC含量可達99%以上、粒徑分布范圍小、高比表面積等特點(diǎn)。同時(shí)還具有化學(xué)性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好等特點(diǎn)。其顯微硬度為2840～3320kg/mm2, 其硬度介于剛玉和金剛石之間, 機械強度高于剛玉；納米碳化硅具有優(yōu)良的導熱性能，還是一種半導體，高溫時(shí)能抗氧化。