8月12日消息，經(jīng)過(guò)晶體實(shí)驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著(zhù)晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代，同時(shí)這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。

據了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。

在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長(cháng)過(guò)程中多個(gè)難點(diǎn)問(wèn)題，比如溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等等。

此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過(guò)高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。

SiC晶體生長(cháng)和加工技術(shù)自主可控是搶占未來(lái)競爭制高點(diǎn)的關(guān)鍵。晶盛機電通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的設備、熱場(chǎng)和工藝技術(shù)，不斷延伸產(chǎn)品系列。

2017年，晶盛開(kāi)始布局碳化硅業(yè)務(wù)。

2020年，建立長(cháng)晶和加工中試線(xiàn)，SiC晶體直徑也從最初的4英寸增大到如今的8英寸，進(jìn)一步縮小國內外技術(shù)差距，保障我國碳化硅產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)上的自主可控。

而此次8英寸SiC導電單晶研制成功，也極大地提升了晶盛在SiC單晶襯底行業(yè)的國際競爭力。

據悉，晶盛機電創(chuàng )建于2006年12月，目前已組建原料合成+長(cháng)晶+切磨拋的中試產(chǎn)線(xiàn),，并完成6-8英寸長(cháng)晶熱場(chǎng)和設備開(kāi)發(fā)，產(chǎn)出6英寸襯底，在總厚度變化率（TTV）可穩定達到＜3μm。

據悉，晶盛機電攜碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目落戶(hù)寧夏。該項目總投資50億元，該項目分兩期建設，將建設約7.5萬(wàn)平方米廠(chǎng)房及輔助設施，主要生產(chǎn)6英寸及以上導電型和半絕緣型碳化硅襯底晶片。一期預計3月開(kāi)工建設，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬(wàn)片，年營(yíng)業(yè)收入24億元。