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山東建成亞洲最大寬禁帶碳化硅半導體材料基地

文章出處:原創(chuàng )網(wǎng)責任編輯:劉坤尚作者:彭國臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2015-01-19 15:58:00【

  金蒙新材料最新獲悉,近日,國家重大科技成果轉化及山東省重點(diǎn)建設項目——山東天岳公司功能器材用碳化硅襯底項目順利完工,標志著(zhù)我國建成亞洲規模最大的寬禁帶碳化硅半導體材料生產(chǎn)基地。

  眾所周知,寬禁帶碳化硅半導體材料是第三代半導體核心材料,目前正在逐步取代硅晶等傳統材料,成為新一代高端半導體行業(yè)的主要生產(chǎn)材料。寬禁帶碳化硅半導體材料被廣泛應用于半導體電力電子器件、微波器件、光電子器件等領(lǐng)域,對我們國家的產(chǎn)業(yè)轉型升級和國防戰略安全具有重要意義。

  另一方面,我們也要看到,由于寬禁帶半導體碳化硅半導體材料存在巨大的技術(shù)和工業(yè)化瓶頸,世界上只有少數幾個(gè)企業(yè)和科研機構掌握,至今一直對我國實(shí)行禁運封鎖,嚴重制約我們國家新一代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。隨著(zhù)這一碳化硅襯底項目的順利投產(chǎn),將徹底改變我國寬禁帶碳化硅半導體材料受制于人的被動(dòng)局面,極大地帶動(dòng)我國碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈快速發(fā)展,形成千億級的碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)集群。

此文關(guān)鍵字:碳化硅