碳化硅SiC的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場(chǎng)強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm.，其導熱率是硅的3.3倍,為49w/cm.k。

　　它與硅半導體材料一樣，可以制成結型器件、場(chǎng)效應器件、和金屬與半導體接觸的肖特基二極管。

　　其優(yōu)點(diǎn)是：

　　(1) 碳化硅單載流子器件漂移區薄，開(kāi)態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。

　　(2) 碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具有高的擊穿電壓。例如，商用的硅肖特基的電壓小于300V，而第一個(gè)商用的碳化硅肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。

　　(3) 碳化硅有高的熱導率，因此碳化硅功率器件有低的結到環(huán)境的熱阻。

　　(4) 碳化硅器件可工作在高溫，碳化硅器件已有工作在600ºC的報道，而硅器件的最大工作溫度僅為150ºC.

　　(5) 碳化硅具有很高的抗輻照能力。

　　(6) 碳化硅功率器件的正反向特性隨溫度和時(shí)間的變化很小，可靠性好。

　　(7) 碳化硅器件具有很好的反向恢復特性，反向恢復電流小，開(kāi)關(guān)損耗小。碳化硅功率器件可工作在高頻(>20KHz)。

　　(8) 碳化硅器件為減少功率器件體積和降低電路損耗作出了重要貢獻。