碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(cháng)、器件制造、模塊封測和系統應用等幾個(gè)重要的環(huán)節。碳化硅器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，無(wú)法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導通型單晶襯底上額外生長(cháng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類(lèi)器件。外延生長(cháng)作為承上啟下的重要環(huán)節，是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅力量。

碳化硅外延的成品為外延片，即在碳化硅襯底上生長(cháng)了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。為了滿(mǎn)足寬禁帶半導體器件在不同應用領(lǐng)域對電阻等參數的特定要求，其制備需在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，因此外延質(zhì)量的好壞將會(huì )影響碳化硅器件的性能。

目前碳化硅襯底上常見(jiàn)外延有碳化硅同質(zhì)外延和氮化鎵異質(zhì)外延，前者適用于高壓性能的功率器件，后者適用于高頻性能的射頻器件。