據粉體圈消息：7月30日，杭州士蘭微電子股份有限公司發(fā)布對外投資進(jìn)展公告，將啟動(dòng)化合物半導體第二期建設，即實(shí)施“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目”，擬建設一條6吋SiC功率器件芯片生產(chǎn)線(xiàn)，項目總投資為15億元，建設周期3年，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6吋SiC功率器件芯片的產(chǎn)能（主要產(chǎn)品為SiCMOSFET、SiCSBD）。

2017年12月，士蘭微與廈門(mén)半導體投資集團有限公司簽署了《關(guān)于化合物半導體項目之投資合作協(xié)議》，雙方共同投資設立了廈門(mén)士蘭明鎵化合物半導體有限公司（士蘭明鎵），在廈門(mén)市海滄區建設一條4/6吋兼容的化合物半導體生產(chǎn)線(xiàn)，總投資50億元，其中一期總投資20億元，二期總投資30億元。截至2021年底，士蘭明鎵已完成第一期20億元的投資，形成了每月7.2萬(wàn)片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的產(chǎn)能，其產(chǎn)品在小間距顯示、miniLED顯示屏、紅外光耦、安防監控、車(chē)用LED等領(lǐng)域得到廣泛應用。

據公告，二期碳化硅功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設項目已取得備案證明，是實(shí)現士蘭微在電動(dòng)汽車(chē)、新能源市場(chǎng)整體戰略布局的規劃之一，有利于加快實(shí)現士蘭微SiC功率器件的產(chǎn)業(yè)化，滿(mǎn)足日益增長(cháng)的新能源領(lǐng)域的市場(chǎng)需求。