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- 硼、碳和鋁燒結助劑對SiC陶瓷燒結的影響[ 12-30 14:42 ]
- 研究發(fā)現，SiC陶瓷燒結時(shí)可加入B、C、Al來(lái)實(shí)現致密化，B系與C系燒結助劑的添加能夠降低SiC晶界能與表面能的值，增強擴散的驅動(dòng)力，而Al系燒結助劑可以以固溶的方式活化晶格，促進(jìn)致密化進(jìn)行。 對于無(wú)壓或熱壓燒結SiC，在不使用燒結助劑情況下基本難以實(shí)現致密燒結，但燒結助劑加入不當又會(huì )使材料性能惡化。SiC陶瓷的力學(xué)性能受游離C的分布影響很大，而B(niǎo)的分布又會(huì )使游離C的晶粒由等軸狀生長(cháng)為長(cháng)柱狀，起到界間強化的作用。另外，溫度的升高會(huì )促進(jìn)基體晶粒的多邊形化，但過(guò)大的基體晶粒尺寸又會(huì )對晶界處游離C的生長(cháng)產(chǎn)生抑制作用
- 氟化物燒結助劑對SiC陶瓷燒結的影響[ 12-30 14:39 ]
- 有研究表明，SiC陶瓷樣品的密度與熱導率隨YF3的加入顯示先增后減的變化，當加入5%的YF3時(shí)，密度與熱導率均達到最大。YF3作為燒結助劑可以提高SiC陶瓷的致密度和熱導率主要是由于YF3可以與SiO2反應生成第二相，同時(shí)達到除氧的目的，凈化SiC的晶格。而生成的液相也可以促進(jìn)燒結的進(jìn)行，降低燒結溫度。 密度與熱導率出現先增后減的變化，原因可能有如下兩點(diǎn): 第一，添加適量燒結助劑形成的液相可以使陶瓷致密化程度提高。YF3添加量過(guò)少，不足以形成足夠的液相，而過(guò)量的YF3又會(huì )產(chǎn)生過(guò)多液相，粘度增加，均不利于
- 阻礙SiC陶瓷燒結的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價(jià)鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個(gè)方面： ①熱力學(xué)方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結推動(dòng)力低，燒結難度增大。目前可通過(guò)引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來(lái)促進(jìn)燒結。 ②動(dòng)力學(xué)方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質(zhì)遷移所需能量高，物質(zhì)難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質(zhì)至少需要蒸
- 中科鋼研高純碳化硅項目及高端裝備項目開(kāi)工[ 12-21 10:07 ]
- 12月18日，中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開(kāi)工儀式在山東菏澤舉行。 據悉，集中開(kāi)工的兩個(gè)項目采用國際一流標準，建設智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個(gè)“總部+生產(chǎn)+研發(fā)”三合一項目，投資額均超過(guò)10億元。早前披露信息顯示，2018年開(kāi)工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導體項目預計年內投產(chǎn)，全部達產(chǎn)可實(shí)現年產(chǎn)5萬(wàn)片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項目無(wú)疑是該項目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進(jìn)的4／8英寸升華法碳
- SiC反向恢復時(shí)間與Si MOSFET相比如何？[ 12-20 14:43 ]
- SiCMOSFET與其硅對應物一樣，具有內部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復行為，當二極管關(guān)斷同時(shí)承載正正向電流時(shí)會(huì )發(fā)生這種情況。因此，反向恢復時(shí)間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較?？梢钥闯?，SiCMOSFET的體二極管非?？欤簍rr和Irr的值小到可以忽略不計，能量損失Err大大降低。
