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- SiC功率器件已逐步滲透到生活中的方方面面[ 02-16 10:03 ]
- 以碳和硅組成的化合物半導體碳化硅（SiliconCarbide）為材料制作的功率半導體器件，因其所具備的優(yōu)異性能與先進(jìn)性，多年來(lái)一直作為“理想的元器件”而備受矚目。SiC功率元器件現已逐漸成為我們現代日常生活中所普遍使用的“身邊的”元器件。 例如，家庭里的SiC有PC電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器（家庭用）、空調等；工業(yè)中的SiC有數據中心、UPS、工廠(chǎng)搬運機器人、高頻感應加熱設備（IH）與高頻電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調節器（太陽(yáng)能發(fā)電站等非家庭用）等；城市里的Si
- 碳化硅單晶制備技術(shù)的難點(diǎn)[ 02-15 10:16 ]
- 碳化硅單晶制備技術(shù)包括PVT法（物理氣相傳輸法）、溶液法和高溫氣相化學(xué)沉積法等，目前商用碳化硅單晶生長(cháng)均采用PVT法。PVT法制備碳化硅單晶的難度在于： ①碳化硅單晶生長(cháng)設備設計與制造技術(shù)。碳化硅長(cháng)晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長(cháng)核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長(cháng)晶爐需要實(shí)現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質(zhì)量晶體生長(cháng)提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現條件。 ②碳化硅粉料合成過(guò)程中的環(huán)境雜質(zhì)多，難以獲得高純度的粉料；作為反應源的硅粉和碳粉反應不完全易造成
- 備受矚目的防彈陶瓷材料——碳化硅[ 02-14 08:59 ]
- 碳化硅共價(jià)鍵極強，在高溫下仍具有高強度的鍵合，這種結構特點(diǎn)賦予了碳化硅陶瓷優(yōu)異的強度、高硬度、耐磨損、耐腐蝕、高熱導率、良好的抗熱震性等性能；同時(shí)碳化硅陶瓷價(jià)格適中，性?xún)r(jià)比高，是最有發(fā)展潛力的高性能裝甲防護材料之一。SiC陶瓷在裝甲防護領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展空間，在單兵裝備和特種車(chē)輛等領(lǐng)域的應用趨于多元化。作為防護裝甲材料時(shí)，考慮到成本及特殊應用場(chǎng)合等因素，通常將小塊排布的陶瓷面板與復合材料背板黏結成陶瓷復合靶板，以克服陶瓷由于拉應力引起的失效，并確保彈丸侵徹時(shí)只粉碎單塊而不破壞裝甲整體。
- 碳化硅防彈陶瓷的制備方法及工藝特點(diǎn)[ 02-13 09:13 ]
- 從陶瓷材料制備工藝的特點(diǎn)可以看出，目前工藝發(fā)展較為成熟的是反應燒結、無(wú)壓燒結和液相燒結，這3種燒結方式的生產(chǎn)成本較低，制備工藝較簡(jiǎn)單，實(shí)現大批量生產(chǎn)的可能性較高。熱壓燒結和熱等靜壓燒結相對來(lái)說(shuō)會(huì )受到產(chǎn)品尺寸的限制，生產(chǎn)成本較高，成熟性較低。超高壓燒結、微波燒結、放電等離子燒結和等離子束熔融法綜合來(lái)說(shuō)成熟性最低，是較為新穎的制備手段，但對于技術(shù)和設備的要求較高，需要投入的生產(chǎn)費用高，實(shí)現批量化的可行性較低，常用于實(shí)驗探索階段，對實(shí)際應用意義不大，較難實(shí)現產(chǎn)業(yè)化。
- 碳化硅防彈陶瓷仍面臨升級和突破發(fā)展[ 02-12 09:15 ]
- 盡管碳化硅的防彈潛力非常大，但單相陶瓷斷裂韌性、脆性差的問(wèn)題卻不容忽視。而現代科技的發(fā)展對防彈陶瓷的功能性與經(jīng)濟性提出了要求：多功能、高性能、輕質(zhì)、低成本和安全性。因此，專(zhuān)家學(xué)者們近年來(lái)希望通過(guò)微觀(guān)調節包括多元陶瓷體系復合、功能梯度陶瓷、層狀結構設計等來(lái)實(shí)現陶瓷的強韌化、輕量化和經(jīng)濟化，并且這樣的護甲相對于如今的裝甲重量輕，更好地提高了作戰單位的機動(dòng)性能。 功能梯度陶瓷即通過(guò)微觀(guān)設計組分材料性能呈規律性變化。比如硼化鈦與金屬鈦以及氧化鋁、碳化硅、碳化硼、氮化硅與金屬鋁等金屬/陶瓷復合體系，性能沿厚度位置呈梯度
